ファブの現場では、ソフトベイクやハードベイクの際に0.1℃の温度変動があるだけで、ウェーハの特性が変わってしまい、スカムが発生したり、歩留まりが低下したりします。従来の乾燥装置では、熱的な急変後に生じるウェーハ間の温度差や粒子の発生を抑制するのが難しいです。私たちは、このような不確実性を排除するためにこのウェーハ乾燥装置を開発しました。
内部で重要なのは何か 石英で隔離されたチャンバー内に短波長の赤外線放射体を使用することで、ウェーハ全体の温度を±0.1℃以内に保ちます。このシステムはクラス1～100の清浄室で動作し、インラインモニタリングによって粒子の発生がないことを確認します。フォトレジストの加熱プロファイルも再現性があり、設定値の安定性は±0.2℃以内です。そのため、重要な寸法や側壁の形状も安定しています。ヒーターの構造により、基板の温度が周囲の温度変動から影響を受けないため、毎回同じ熱的条件が得られます。
なぜこれがリソグラフィ処理に適しているのか リソグラフィやフォトレジスト処理において、乾燥装置は線幅や密着性、残留溶剤の量を直接決定します。高い均一性により、再作業や再検査の必要が減ります。清浄室との互換性と粒子の発生がないことにより、欠陥の数も減少します。また、計画外の停止がないため、生産が継続できます。放射体が速く加熱され、無駄な電力消費も少ないため、エネルギー効率も良くなります。結果として、プロセスが安定し、予測可能なサイクルタイムが実現します。
設置時に必要なもの この装置には、専用のフィルタ付き電源と窒素パージ回路が必要です。これにより、全温度域で粒子の発生を防ぐことができます。標準的なライン上に簡単に設置できますが、既存のハンドラーとの熱容量や接続の向きを合わせる必要があります。加熱条件を固定するために、短時間のテスト運転を行います。一度設定すれば、シフトやウェーハのロットに関係なく、プロファイルは安定します。