Infrarotlampe für das Werkzeug von Applied Materials

Mon, 22 Jun 2026 23:18:52 +0800

Auf der Wafer-Oberfläche bedeutet eine Temperatur von 90 °C nicht nur ein bestimmtes Temperaturniveau – es handelt sich dabei auch um die Grenze, innerhalb derer die Linienbreite kontrolliert werden kann. Wenn man die Retentionsrate des Photoresists um einen halben Grad erhöht, entstehen beim Herstellen der Wafer Druckfehler, die erst nach der Entwicklung sichtbar werden. Deshalb haben wir eine Infrarotlampe für die Geräte von Applied Materials entwickelt, um diese Abweichungen zu minimieren.

Was technisch wichtig ist:
Es handelt sich um Kurzwellen-Infrarotlicht, das so eingestellt ist, dass es mit der Absorption des Photoresists übereinstimmt. Die wirklich wichtige Eigenschaft ist die thermische Homogenität: ±0,1 °C über die gesamte Wafer-Oberfläche während des Trocknungsprozesses. Das wird mit kalibrierten Thermoelementen unter dem Einfluss von Prozessgasen gemessen – und dieses Niveau bleibt während des gesamten Trocknungsprozesses konstant. Die Quarzkapsel sowie die keramischen Bauteile sind für den Einsatz in Reinräumen geeignet und wurden für einen Betrieb in Klasse 1–100 entwickelt – ohne dass es zu Partikelbildung kommt, sobald der Prozess im Gleichgewicht ist.

Materialien on Custom Infrared Heating Builds

Infrarotlampe für das Werkzeug von Applied Materials